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“TOSHIBA MOS管TK13A65U全新原装现货”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 品牌： | Toshiba |
| 类型： | 增强型MOS管(N沟道) | 材料： | N-FET硅N沟道 |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | 用途： | MOS-INM/独立组件 |
| 导电方式： | 增强型 | 型号： | TK13A65U |
| 规格： | 原装 | 商标： | TOSHIBA |
| 包装： | 管装 |
“TOSHIBA MOS管TK13A65U全新原装现货”详细介绍
| 类别 | 分立半导体产品 |
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|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
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| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
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| 系列 | DTMOSII |
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| 包装 | 管件 |
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| 零件状态 | 在售 |
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| FET 类型 | N 沟道 |
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| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
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| 漏源电压（Vdss） | 650V |
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| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 13A（Ta） |
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| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
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| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 1mA |
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| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 17nC @ 10V |
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| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 950pF @ 10V |
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| Vgs（最大值） | ±30V |
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| FET 功能 | - |
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| 功率耗散（最大值） | 40W（Tc） |
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| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 380 毫欧 @ 6.5A，10V |
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| 工作温度 | 150°C（TJ） |
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| 安装类型 | 通孔 |
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| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
