“【高性价比】韩国金胜特一级代理JST2N60F TO-220F封装场效应管MOS管散热好芯片大温升低替换 FQD2N60”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 品牌： | 金胜特 |
| 类型： | 增强型MOS管(N沟道) | 材料： | IGBT绝缘栅比极 |
| 封装外形： | TO-220F | 用途： | 其他 |
| 型号： | JST2N60F | 规格： | 瓦数 |
| 商标： | 金胜特 | 包装： | 纸箱 |
| 电压： | 600V | 特色服务： | 提供技术支持 |
| 兼容/替代型号： | FQD2N60/STD2NK60ZT4 | 电流： | 2A |
“【高性价比】韩国金胜特一级代理JST2N60F TO-220F封装场效应管MOS管散热好芯片大温升低替换 FQD2N60”详细介绍
【高性价比】韩国金胜特一级代理JST2N60F TO-220F封装场效应管MOS管散热好芯片大温升低替换 FQD2N60
参数与国外仙某品牌对比图
产品描述
JST2N60F为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
产品特点
2.0A, 600V, RDS(on) = 5Ω @VGS = 10 V低电荷、低反向传输电容开关速度快
技术参数
采购须知
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