“ROHM晶体管R6020ENX 大量现货 全新原装”参数说明
是否有现货: | 是 | 封装: | DIP |
功能结构: | 数/模混合集成电路 | 制作工艺: | 半导体集成电路 |
导电类型: | 双极型 | 集成度高低: | 中规模集成电路 |
应用领域: | 标准通用 | 型号: | R6020ENX |
规格: | 原装 | 商标: | ROHM |
包装: | 管装 |
“ROHM晶体管R6020ENX 大量现货 全新原装”详细介绍
类别 | 分立半导体产品 |
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 |
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制造商 | Rohm Semiconductor |
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系列 | - |
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包装 | 散装 |
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零件状态 | 在售 |
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FET 类型 | N 沟道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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漏源电压(Vdss) | 600V |
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 20A(Tc) |
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
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不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 60nC @ 10V |
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1400pF @ 25V |
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Vgs(最大值) | ±20V |
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FET 功能 | - |
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功率耗散(最大值) | 50W(Tc) |
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不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 196 毫欧 @ 10A,10V |
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工作温度 | 150°C(TJ) |
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安装类型 | 通孔 |
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供应商器件封装 | TO-220FM |