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“深圳军工院所用IGBT功率器件图示仪”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 认证： | ISO9000 |
| 元器件种类： | 半导体器件测试仪 | 型号： | ENJ2005-A |
| 规格： | 450 × 570 × 280（mm） | 商标： | 普通商标 |
| 包装： | 封装 | 产量： | 10000 |
“深圳军工院所用IGBT功率器件图示仪”详细介绍
易恩电气ENJ2005-C图示仪测试MOSFET曲线实例
西安易恩电气科技有限公司推出大功率半导体图示仪ENJ2005-C，这是易恩电气继ENJ2005-B之后又推出的一款高端图示，数显半导体测试设备，是美国泰克370B,泰克371A完美的替代者。ENJ2005-C能测试包含所有半导体的静态参数， 易恩ENJ2005-C系列半导体分立器件测试系统功率大、速度快、精度高、测试种类全等技术特点，各项技术指标均达到国际领先水平。半导体管图示系统，更是突破图示仪的局限，基于PC机显示曲线图形，同时具有静态参数测试系统的功能。产品被广泛应用于军工、汽车、飞机、船舶制造、能源等领域。进过多年努力，雄厚的技术实力，多年的开发产品经验和独特严谨的设计方案使易恩电气ENJ系列测试系统性能更加超群，品质更为卓越。公司大胆创新，现已获得多项发明专利。同时，为给客户提供规范的服务，公司建立了完善的产品与服务质量管理体系，先后通过ISO9001，2000国际质量体系认证。
1.测 试 电 压： ≤2KV
2.测 试 电 流： ≤50A
3.电 压分辨率： 1mV
4.电流 分辨率： 0.1nA
5.测 试 精 度： 0.2%±2LSB
测试范围
1．双向可控硅（TRIAC）
2．MOS场效应管（Power MOSFET）
3．绝缘栅双极大功率晶体管（IGBT）
4．结型场效应管 （J-FET ）
5．晶体管（Transistor）
6．达林顿阵列(Darliknton)
7．稳压（齐纳）二极管（Zener）
8．二极管(Diode)
9．可控硅整流器（SCR ）
10．三端稳压器（REGULATOR ）
11．光电耦合器（OPTO-COUPLER）
12．双向触发二极管 （DIAC)
13．固态过压保护器（SOVP）
14．继电器（RELAY）
大功率半导体测试系统特点
1.图形显示功能
2.局部放大功能
3.程序保护最大电流/电压,以防损坏
4.品种繁多的曲线
5.可编程的数据点对应
6.增加线性或对数
7.可编程延迟时间可减少器件发热
8.保存和重新导入入口程序
9.保存和导入之前捕获图象
10. 曲线数据直接导入到EXCEL
11.曲线程序和数据自动存入EXCEL
12.程序保护最大电流/电压,以防损坏
系统规格及技术指标
工作温度：25℃--40℃
工作湿度：45%--80%
贮存湿度：10%--90%
工作电压：200v--240v
电源频率：47HZ--63HZ
通信接口：RS232 USB
系统功耗：<150w
设备尺寸：450mm×570mm×280mm
