海力士首度采用30纳米制程量产DRAM产品

发布日期：2015-01-07 浏览次数：101

　　据了解，海力士29日宣布，已开发出2款计算机用DRAM产品，将首度采用30纳米级制程量产。据海力士表示，计划采用38纳米制程生产4Gb和2Gb2种产品，2011年第1季将先量产2Gb产品。
　　
　　相较于40纳米制程，30纳米制程使用单一晶圆可生产的半导体数量增加60～70％。不仅提升生产性，也有利于提升成本竞争力。海力士采用38纳米制程制造DRAM时，较目前采用的44纳米制程产量提升约70％。
　　
　　海力士表示，采用38纳米制程生产的产品资料处理速度最高可提升至2，133Mbps，较44纳米制程产品资料传输速度提升约60％。此外更减少44纳米制程产品约50％的耗电量。
　　
　　海力士副社长朴星昱表示，目前2GbDRAM产品占整体货量50％，未来将扩大高容量、高性能、低耗电产品比重，期望能引领4Gb等高容量产品市场。
　　